Si、SiC、GaNデバイスの性能評価

高出力半導体デバイスの迅速な市場投入

自動車の電化やRF通信における要件の厳しいアプリケーションには、従来のシリコンを引き続き使用することに加えて、SiCやGaNなどのワイド・バンドギャップ半導体技術が必要です。SiCとGaNは、Siよりも電圧動作周波数が高く、温度が高く、電力損失が少ないため、SiCとGaNの電気性能を理解することで、多くの新しい電力アプリケーションでの強力な価値提案が可能になります。高出力半導体デバイスを市場にいち早く投入し、市場でのデバイスの障害を最小化しましょう

広範な電力エンベロープでのテスト

SiCまたはGaNのウエハ・レベルおよび同梱部品レベル・デバイスの電気的性能を評価するには、ハイ・パワーな機器の活用、プロービングの課題への対処、低レベルの測定（高い降伏電圧が存在する場所でのリーク電流のピコアンペア・レベルなど）など、新しい技術を学ぶ必要があります。ワイド・バンドギャップ半導体では、最大3000Vの電圧と最大100Aの電流を供給することがより一般的です。テストシステムを最適化して、オン状態、オフ状態、静電容量の測定に要する時間を短縮することも同様に重要です。

代表的なオン状態の測定セットアップ

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「ウエハ上の高出力半導体デバイス・テストの接続問題を解決」アプリケーション・ノート

プローブおよびテスト・フィクスチャへの機器の接続

ハイパワーな機器のプローブ・ステーションやテスト・フィクスチャへの接続は、複雑な作業になる可能性があります。不適切に接続すると、測定エラーにつながる可能性が高くなります。8020シリーズ・ハイパワー・インタフェース・パネルは、ケースレーのSMUと各種半導体プローブ・ステーションやカスタム・テスト・フィクスチャ間の、高精度で柔軟性に優れた使いやすいインタフェースを提供します。インタフェース・パネルには、3kV、200V、および100Aの測定に対応する6つの測定経路があります。プローブ・ステーションに合わせて、さまざまなタイプの出力コネクタを使用して5つの経路を構成できます。オプションのバイアス・ティーを使用して4つの経路を設定できます。このようにしてテスト対象デバイスの最大4つのピンで高電圧C-V測定が可能になります。

ケースレー8020シリーズ・ハイパワー・インタフェース・パネル。

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8020シリーズ・ハイパワー・インタフェース・パネル・ユーザ・マニュアル

I-V特性評価のための電源シーケンスの自動化

ケースレーの自動特性評価スイート（ACS）ソフトウェアで、テストをプログラミングする際の問題を解決できます。ACSは、デバイスの特性評価、パラメトリック・テスト、信頼性テスト、およびシンプルな機能テスト用に設計された柔軟かつインタラクティブなソフトウェア・テスト環境です。ACSは、幅広いケースレー機器とシステム、ハードウェア構成、テスト設定に対応しています。ACSにより、ユーザは自動ハードウェア管理ツールを使用して機器を構成し、プログラミングの知識なしで迅速にテストを実行できます。

GaN HEMTのI-V特性評価のための電源シーケンス。

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GaN HEMTの特性評価のための電源シーケンス