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ワイド・バンドギャップ半導体のテスト
固有変数（IV）の特性評価は、ワイド・バンドギャップ半導体の開発には欠かせないものです。従来の材料よりも優れた電気的特性を持つこれらの半導体は、パワー・エレクトロニクスの幅広い用途において応用できる可能性を秘めています。これらの材料のI-V特性を理解することで、材料の最適な使用や開発を実現することができます。
安全かつ持続可能な方法で、より効率的な設計を実現
SiCとGaNがどのように業界を変えるか
SiCとGaNは、パワー・エレクトロニクス、高周波電子部品、LED、航空宇宙／防衛などの幅広い用途で使用されています。これらの半導体は、こうした分野におけるより効率的で高度な技術の開発を可能とし、イノベーションや進化を推し進めています。
パルスI-V特性評価
パルスI-Vは、半導体やデバイスの電気的特性を測定するための有用な手法です。短い電圧パルスを印加することで、デバイスの抵抗や容量、その他の性能指標を解析することができます。この手法は、パワー半導体業界のデバイス・エンジニア、研究者、設計者にとっては、高度で効率的な電子部品を開発するうえで価値あるものです。
ケースレーKickStartソフトウェアと2470型高電圧ソースメータ（SMU）を使用したリバース・ブレークダウン電圧テスト。
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信頼性を確保するためのブレークダウン電圧の評価
通常、ブレークダウン電圧のテストでは、ある電気的絶縁特性を持つデバイスに電圧をかけ、破壊が生じるまで電圧を上げます。ブレークダウン電圧は、専用のテスト機器と手順を用いて測定できるものです。この電圧は、材料特性、材料の厚さ、デバイスの形状などのさまざまな要因によって変化する場合があります。
ブレークダウン電圧のテストは、電気および電子機器の信頼性や性能を確保するための重要な手順です。
曲線群の測定と詳細な解析
曲線群は、複雑なシステムの設計や解析において不可欠な役割を果たす技術の中の、本質的な考え方です。これらの曲線は、類似の特性やパラメータ間で類似の機能的関係を持つ、1つのグラフィカル・ソリューションのグループです。エンジニアは、荷重、応力、温度、圧力などのさまざまな条件下でのシステムの挙動を理解するために、これらの曲線を使用しています。また、エンジニアはこれらの曲線を使用して最も良い設計パラメータを選択することで、産業プロセスのパフォーマンスを最適化しています。電気技術から機械技術に至るまで、曲線群は、エンジニアが十分な情報に基づいて判断したり効率的ソリューションを考案したりするのに役立つ、欠かせないツールになっています。
MOSFETのスレッショルド電圧を示す4200A-SCS型パラメータ・アナライザ。
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MOSFETで回路の切り替えや増幅が容易に
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors：金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、昨今の技術設計において、最もよく使用されている電子部品の1つです。MOSFETは、非常に効率的で汎用性に優れることから電子技術に一大革命をもたらし、より小型で効率的な回路を実現しています。最近の電子部品には、このMOSFETが欠かせません。このように、MOSFETは今日の電子部品に欠かせないものとなりましたが、その測定は、正確に行うことがきわめて重要です。通常、MOSFETの測定には、抵抗、容量、電流電圧（I-V）曲線などの電気的特性の確認が含まれます。エンジニアは、さまざまな手法や計測器を使用してMOSFETの性能を測定することで、回路設計を最適化し、信頼性の高い動作を確保することができます。
