SiCは、シリコンによるIGBTやMOSFETに比べて優れた効率、高速のスイッチング、優れた熱性能があるため、より大きな電力密度と低システム・コストが可能になります。SiCへの移行において、パワー・システム設計エンジニアが持つと思われる質問を以下に示します。
- 手持ちのテスト・システムで、SiCシステムの高速スイッチング・ダイナミクスを正確に測定できるだろうか。
- ゲート・ドライブの性能とデッドタイムは、どうすれば正確に最適化できるだろうか。
- コモンモード・トランジェントは測定確度に影響するだろうか。
- 観測しているリンギングは真実か、あるいはプローブ応答によるものなのか。
すべての信号が正確に表示できることが重要であり、これにより正しい設計の決断がタイムリーに行えます。過大なマージンと過剰な設計はコストアップになるだけでなく、性能も低下します。適切な計測器を使用することで、すべてに差がつきます。
このアプリケーションノートでは、オシロスコープを使用して正確なゲート電圧、ドレイン電圧、および電流を測定する方法について説明します。