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I-Vカーブ・トレーサ・ソフトウェア

2端子デバイス用カーブ・トレーサの使い慣れたユーザ体験を再現しながら、電流と電圧の両方で特性のトレースが可能。

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最終更新日： Thursday, June 27, 2024
Blog Entry
カーブ・トレーサとI-Vカーブ・トレーサ・ソフトウェアとの比較

カーブ・トレーサは、ダイオード、トランジスタ、サイリスタなどの半導体デバイスの特性を解析して、I-V曲線をトレースするために使用する基本的な電子テスト・デバイスです。故障解析やパラメトリック特性評価などのデバイス信頼性用途でよく使用されます。テクトロニクスは、1955年に真空管の特性曲線を表示する業界初のカーブ・トレーサを発表しました。長年にわたり、トランジスタ、ダイオード …

最終更新日： Tuesday, April 30, 2024
Videos, Webinars and Demos
低コストカーブトレーサでIC検査

I-VトレーサはSMUに搭載された機能で、従来のカーブトレーサ同様、ノブによりリアルタイムで印加カーブを調整可能です。ダイオードなどの２端子デバイス評価やIC不具合検査などに最適です。ここではI-Vトレーサを用いたIC不具合検査の事例をご覧いただけます。

| Date: Wednesday, September 30 2020
Videos, Webinars and Demos
低コストカーブトレーサで不良解析

カーブトレーサについて大型、高価、修理不可などのお悩みはありませんか？ケースレーのI-Vトレーサではこれをすべて解決。従来同様に操作可能、電圧電流印加、パルス／ACモードも対応。２端子デバイスの不良解析に最適です

| Date: Thursday, March 23 2023
Blog Entry
MOSFET I-V曲線の測定方法

MOSFETが正しく機能し、仕様を満たしていることを確認する最良の方法の1つが、I-V曲線をトレースすることによって特性を決定する方法です。I-Vテストが必要な出力特性は多数あります。ゲートリーク電流、ブレークダウン電圧、スレッショルド電圧、伝達特性、ドレイン電流などはすべて、I-V特性をトレースし、デバイスの正常な動作を確認するだけで導き出すことができます。ケースレーの …

最終更新日： Tuesday, April 30, 2024
Technical Document
漏れ電流（リーク電流）測定方法｜高電圧半導体デバイス

ソース・メジャー・ユニット（SMU）と KickStartソフトウェアを使用した高電圧半導体デバイスのブレークダウンと漏れ電流測定はじめに長年の研究と開発により、シリコンカーバイド（SiC）と窒化ガリウム（GaN）系パワーデバイスは、より現実的な選択肢になりつつあります。SiCとGaNへのシフトは、新しいデザインを可能にしています。SiC はハイパワー・アプリケーション向けに高電圧で高電力を駆動する能力を備え、GaNは中低電力アプリケーション向けに超高電力密度を備えており …

Date: Wednesday, December 13 2023
Technical Document
漏れ電流（リーク電流）測定方法｜高電圧半導体デバイス

ケースレーは、ハイパワー半導体デバイスのテストでは、長い歴史と多くのノウハウを持っております。最近、2470型1100Vグラフィカル・ソースメータを発売し、SiC及びGaNデバイス・テストにおける困難な測定に対応します。このアプリケーションノートでは、2470型ソースメータ及びKickStartソフトウェアを使用した、高電圧半導体デバイス試験のためのアプリケーションをご紹介します。

1KW-61601-0 | Date: Tuesday, August 20 2019
Datasheet
8シリーズ・サンプリング・オシロスコープ

85Z-61589-00 | Date: Wednesday, January 06 2021
Datasheet
6シリーズ・ロー・プロファイル・デジタイザ

6シリーズ・ロー・プロファイル・デジタイザ・データシートには、製品の機能、重要な仕様、および注文情報の概要が記載されています。

48Z-61595-12 | Date: Thursday, October 03 2024
Datasheet
デジタル・フォスファ・オシロスコープ

TDS3000Cシリーズは、手頃な価格で優れた性能を実現するデジタル・フォスファ・オシロスコープです。周波数帯域は100MHzから500MHz、サンプル・レートは最高5GS/sであり、優れた測定再現性を実現します。

41Z-12482-26 | Date: Monday, January 29 2018