I-V 特性分析

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新型高功率半導體裝置將儀器帶往極致的境界

SiC 和 GaN 如何推動產業變革

ISiC 和 GaN 已運用於各種應用中，包括電力電子、高頻電子、LED 以及航太與國防領域等。這兩者不僅促使這些領域開發出更有效率、更先進的技術，同時也推動創新和進步的步伐。

使用 Keithley KickStart 軟體和 2470 高壓 SourceMeter® 電源量測設備 (SMU) 進行反向崩潰電壓測試。

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反向崩潰電壓測試示範

高壓半導體裝置的 2470 崩潰和漏電流量測

評估崩潰電壓以確保可靠性

崩潰電壓的測試通常包括增加裝置上施加的電壓位準，直到裝置的電氣絕緣特性崩潰為止。崩潰電壓可經由專門的測試設備和程序來量測，並可能受到各種因素影響，例如材料的特性、其厚度，以及裝置的外型等。

崩潰電壓測試是一項重要的程序，用以確保電氣和電子裝置的可靠性和效能。

4200A-SCS 參數分析儀可顯示 MOSFET 臨界值電壓。

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簡化 MOSFET-MOSCAP 裝置特性分析的秘訣和技術

使用 MOSFET 輕鬆切換和放大電路

MOSFET (全稱：金屬氧化物半導體場效電晶體) 是現代工程設計中最常用的電子元件之一。MOSFET 徹底改變了電子工程的設計，其高效率和多用途性可製作出更小型、更高效的電路，而這正是現代電子產品中不可或缺的一環。在 MOSFET 已成為當今電子產品必備要素的情況下，精確量測 MOSFET 就變得至關重要。量測 MOSFET 通常包含確定其電氣特性，例如電阻、電容和電流-電壓 (I-V) 曲線。工程師會使用各種技術和儀器來量測 MOSFET 的效能，藉以將電路設計最佳化，並確保能夠可靠運行。