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量測切換參數的標準方法
對於負責 SiC 和 GaN 裝置的功率裝置工程師來說,將切換損耗降至最低仍然是一大挑戰。量測切換參數以及評估 Si、SiC 和 GaN MOSFET 與 IGBT 動態行為的標準測試方法為雙脈波測試 (DPT)。雙脈波測試可用於量測裝置開啟和關閉時的能量損耗,以及反向還原的參數。
雙脈波測試和優點
雙脈波測試的基礎知識
雙脈波測試之執行,為使用兩個裝置進行。其中一個裝置是待測裝置 (DUT),第二個裝置則通常是與 DUT 相同類型的裝置。請注意「高」端裝置上的電感負載。電感器用於複製轉換器設計中可能具有的電路條件。所使用的儀器包括供應電壓的電源供應器或 SMU、用於輸出脈波而觸發 MOSFET 閘極並將其開啟以開始傳導電流的任意函數產生器 (AFG),以及用於量測所得波形的示波器。
如何產生雙脈波測試的閘極驅動訊號
產生閘極驅動訊號以執行雙脈波測試最簡單的方法就是使用任意波形產生器 (AFG)。AFG 可用於產生閘極驅動訊號以執行雙脈波測試。Tektronix AFG31000 具有內建的雙脈波測試應用程式,可建立具有不同脈波寬度的脈波。
如何量測開啟和關閉時間以及能量損耗
示波器是擷取雙脈波波形的絕佳工具,讓您取得裝置的開啟和關閉時間參數。搭配 Tektronix 4/5/6 系列 B MSO 和寬能隙雙脈波測試應用軟體 (選配WBG-DPT),讓您在彈指間就能掌握擷取參數所需的一切。WBG-DPT 選配可根據 JEDEC 和 IEC 標準提供自動切換、計時和二極體反向還原量測等功能。
量測反向還原
二極體的反向還原時間是二極體中切換速度的量測單位,因此會影響轉換器設計中的切換損耗。反向還原電流發生在第二脈波開啟期間。如圖所示,二極體在第 2 階段期間以順向狀態傳導。當低端 MOSFET 再次開啟時,二極體應立即切換為反向阻斷狀態;然而,二極體仍會在很短的一段時間內以反向狀態傳導,即反向還原電流。此反向還原電流會轉換成能量損耗,而這會直接影響到電源轉換器的效率。