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電気サンプリング・モジュール・データ・シート
80E11型・80E11X1型・80E10B型・80E09B型・80E08B型・80E07B型・80E04型・80E03型・80E03-NV型
80E11型・80E11X1型・80E10B型・80E09B型・80E08B型・80E07B型・80E04型・80E03型・80E03-NV型
DSA8300型サンプリング・オシロスコープは、電気サンプリング・モジュールを1つ以上追加して、マルチチャンネル、高帯域の電気測定アプリケーションに必要な機能を持たせることができます。 さまざまなサンプリング・モジュールとの組み合わせが可能なため、コンポーネント、モジュール、およびシステムのデバッグ、特性評価、解析に適しています。信号レートは10Gbps、40Gbps、さらには100Gbpsまで対応しています。 多彩な機能を備えた80E00シリーズ電気サンプリング・モジュールは、アプリケーション固有の要件を満たすテスト・ソリューションの構成を可能にします。
欧州圏のお客様へのお知らせ
80E10B型／80E09B型／80E08B型／80E07B型モジュールは、改正RoHS 2指令（Directive 2011/65/EU）に適合しており、欧州に出荷されます。これらのモジュールは、CE承認の対象となっております。
その他の80E00型モジュールにつきましては、改正RoHS 2指令（Directive 2011/65/EU）への適合に必要な更新が行われておりませんので、欧州には出荷されません。ただし、2017年7月22日以前に、EU市場に出荷された当該製品の在庫分につきましては、品切れにならない限り、ご購入いただける場合がございます。テクトロニクスは、お客様に必要なソリューションをお届けできるよう、積極的に取り組んでいます。具体的な対応や代替製品の有無など、詳細につきましては、当社営業所までお問い合わせください。テクトロニクスは、お客様がどの国にお住まいでも、製品のサポートが終了するまで、責任を持ってサービスを提供して参ります。
主な性能仕様
- 最高周波数帯域： 70GHz、最高測定立上り時間： 5ps（10～90%）
- 低ノイズ： 450μVrms（60GHz）、300μVrms（30GHz）
- 真の差動TDR反射立上り時間： 15ps（入射立上り時間： 12ps）、距離分解能： 1mm以下
- 効率、確度、利便性、コスト効果の高いSパラメータ測定が50GHzまで可能
- リモート・サンプラ1によりDUT近くでのプロービングが可能になり、優れた信号忠実性を実現
180E07型～80E10型では標準装備、80E03型、80E04型、80E11型、80E11X1型ではエクステンダ・ケーブルはオプションです。
主な特長
- 独立したサンプラ・デスキュー機能により、フィクスチャとプローブによるスキューの影響を除去することが可能
- デュアル・チャンネル（80E11X1型を除く）
- 高精度マイクロウェーブ･コネクタ（3.5mm、2.92mm、 2.4mm、1.85mm）
- プローブ・サポート
アプリケーション
- シリアル・データ・アプリケーションのインピーダンス特性評価とSパラメータ測定
- ジッタ、ノイズ、BERの解析
- チャンネルおよびアイ・ダイアグラムのシミュレーションと測定に基づくSPICEモデリング
- 80E10B型、80E08B型、80E04型
- 高性能TDR/T測定
- インピーダンス・プロファイル、インダクタンス、容量、Sパラメータ
- 伝送路の品質、インピーダンス、クロストーク
- 真の差動、コモン・モード、およびシングルエンド測定
- 効率的なアイソレーション不良個所の検出
- 80E11型、80E11X1型、80E09B型、80E07B型
- 高周波、低ノイズによる信号アクイジション
- 高速な立上り時間測定
- ジッタ解析と波形解析
- 80E03型、80E03-NV型
- デバイス特性、伝送品質、波形パラメータ測定
- 低振幅信号測定
TDRモジュール： 80E10B型、80E08B型、80E04型
80E10B型、80E08B型、80E04型は、デュアル・チャンネルTDR（Time Domain Reflectometry）サンプリング・モジュールで、 80E10B型の入射立上り時間は最高12ps、反射立上り時間は最高15psです（80E08B型、80E04型の入射立上り時間はそれぞれ18ps、23ps）。 TDRモジュールの各チャンネルはTDRモードで高速ステップ波形を生成し、サンプリング・モジュールの入力部分で入射ステップと反射エネルギーをモニタします。 各チャンネルのステップ波形の極性は個別に選択できるため、 個々のラインのテストだけでなく、2信号ラインの差動またはコモン・モードのTDR、Sパラメータ・テストも可能です。 各チャンネルで個別にステップ波形を生成できるため、 真の差動測定が可能であり、差動デバイスを高確度で測定でき ます。
80E10B型と80E08B型はサイズが小型であり、2mのリモート・サンプラを装備しています。DUT近くでプロービングできるため、信号忠実性に優れています。 TDRのステップ波形を使用して一方のライン（または差動クロストークのライン・ペア）を駆動しながら、もう一方のライン（またはライン・ペア）を他のチャンネル（または差動クロストークの他のモジュール）でモニタすることにより、クロストークを評価できます。 8000シリーズ・メインフレームの「フィルタ」機能をTDRまたはクロストーク測定と併用することで、低エッジ・レートでのシステム性能評価が可能です。
すべてのモジュールには独立した入射ステップとレシーバのデスキュー機能があり、フィクスチャとプローブによるスキューの影響を除去して、テスト・フィクスチャのディエンベディングを高速かつ簡単に実行することができます。 80E10B型サンプリング・モジュールの立上り時間は7ps、周波数帯域は最高50GHzで、等価周波数帯域は50、40、30GHzから選択可能です。 80E08型のサンプリング周波数帯域は30GHz（30GHz、20GHzが選択可能）、80E04型のサンプリング周波数帯域は20GHzです。 P8018型20GHzシングルエンドTDRプローブと、ピッチ可変のP80318型18GHz差動TDRプローブの優れた性能と適合性により、バックプレーンおよびパッケージ測定が簡単、正確に実行できます。
サンプリング・モジュールと当社IConnect®TDR／VNAソフトウェアを組合せることで、最高1,000,000ポイントのデータを取込み、最高50GHzの差動モード、ミックス・モード、シングルエンド・モードのSパラメータを測定できます。 IConnectは、フル・チャンネル解析、Touchstone（SnP）ファイル出力、ギガビット・インターコネクトのSPICEモデリングだけでなく、各種のシリアル・データ規格で要求されるインピーダンス、Sパラメータおよびアイ・ダイアグラムなどのコンプライアンス・テストも実行できます。
サンプリング・モジュール： 80E11型、80E11X1型、80E09B型、80E07B型、80E03型、80E03-NV型
80E09B型と80E07B型は、リモート・サンプラを装備したデュアル・チャンネルのサンプリング・モジュールで、60GHzのサンプリング帯域で450μV rms、30GHzのサンプリング帯域で300μV rmsの低ノイズ測定が可能です。 小型のリモート・サンプラは2mのケーブル先端に装備しており、サンプラをDUTに近づけることができるため、ケーブル、プローブ、フィクスチャによる影響を極力抑えて最高の信号忠実性が得られます。 80E09B型では60GHz、40GHz、30GHzの中から、80E07B型では30GHz、20GHzの中から、ノイズとのトレードオフを考慮して最適な帯域幅を選択できます。
80E11型（デュアル・チャンネル）および80E11X1型（シングル・チャンネル）は、広帯域（70GHz以上）のサンプリング・モジュールです。 これらのモジュールでは、広い測定帯域、高速な立上り時間測定、高度の信号忠実性を得ることができます。 帯域幅は70GHz、60GHz、40GHzの中から選択できるため、ノイズとのトレードオフを考慮して最適な帯域幅を選択できます。
オプションの80X01型延長ケーブル（1m）または80X02型延長ケーブル（2m）を使用して80E11型モジュールまたは80E11X1型モジュールをDUTの近くに配置すると、最高の信号忠実性を得て柔軟に測定を実行することができます。
80E03型と80E03-NV型は、デュアル・チャンネル入力、20GHzのサンプリング・モジュールです。 立上り時間は17.5ps以下で す。 オプションの延長ケーブル（1mおよび2m）を使用できます。
当社のジッタ、ノイズ、BER解析ソフトウェア80SJNBと組み合せることで、ジッタとノイズをそれぞれの成分に分離し、アイ劣化の正確な原因を特定して、BERとアイの三次元の輪郭を正確に推定することができます。 82A04B型フェーズ・リファレンス・モジュールと併用すると、時間軸確度を100fs rmsジッタ以下に改善することができます。300μVのノイズ・フロアと16ビットの分解能により、信号忠実性の高い測定が可能になります。
優れた性能／保証
当社は、お客様のご期待に沿った製品、性能をご提供します。 業界トップクラスのサービス／サポートに加え、この製品には標準で1年間の保証期間が設定されています。
仕様
すべての仕様は、特に断りのないかぎり、保証値を示します。
モデル概要
| モジュール | アプリケーション | 帯域幅1 | チャンネル数 | 入力インピーダンス | 入力コネクタ |
|---|---|---|---|---|---|
| 80E11型 80E11X1型 | 高周波、低ノイズの信号取込み、およびジッタの特性評価 | 70/60/(40)GHz2 | 2/1 | 50±1.0Ω | 1.85mm（Fe） |
| 80E10B型 | 真の差動TDR測定、Sパラメータ測定、障害検出 | 50/40/(30)GHz2 | 2 | 50±1.0Ω | 1.85mm（Fe） |
| 80E09B型 | 高周波、低ノイズの信号取込み、およびジッタの特性評価 | 60/40/(30)GHz2 | 2 | 50±1.0Ω | 1.85mm（Fe） |
| 80E08B型 | 真の差動TDR測定、Sパラメータ測定 | 30/(20)GHz 2 | 2 | 50±1.0Ω | 2.92mm（Fe） |
| 80E07B型 | ジッタの特性評価に最適なノイズと性能のトレードオフ | 30/(20)GHz 2 | 2 | 50±1.0Ω | 2.92mm（Fe） |
| 80E04型 | TDRインピーダンスおよびクロストークの特性評価 | 20GHz 3 | 2 | 50±0.5Ω | 3.5mm（Fe） |
| 80E03型 80E03-NV型 | デバイスの特性評価 | 20GHz 4 | 2 | 50±0.5Ω | 3.5mm（Fe） |
1通常表記された値は保証値です。カッコ内に表記された値は、通常の使用状態で得られる代表値を示し、性能を保証するものではありません。
2ユーザが選択できます。
3計算式（0.35＝帯域×立上がり時間）に基づく
480E03型の帯域は、計算式（0.35＝帯域×立上がり時間）に基づきます。80E03-NV型の帯域は、直接検証値です。
80E11型、80E11X1型
- 立上り時間
- 5ps（立上がり時間＝0.35÷帯域）
- ダイナミック・レンジ
- 800mVp-p
- オフセット・レンジ
- ±1.1V
- 最大動作電圧
- ±1.1V
- 最大非破壊電圧、DC＋ACp-p
- 2.0V
- 垂直ビット数
- 16ビット（フル・スケール）
- 水平感度レンジ
- 8mV～800mV（フル・スケール）
- DC垂直電圧確度（シングル・ポイント、±2℃以内の温度補償において）
- ±2mV
±0.007×（オフセット）
±0.02×（垂直値－オフセット）
- ステップ応答アベレーション、代表値
- ±1%以下（ステップ遷移前の10ns～20ps）
＋6%、－10%以下（ステップ遷移後の最初の400ps）
＋0%、－4%以下（ステップ遷移後の400ps～3ns）
＋1%、－2%以下（ステップ遷移後の3ns～100ns）
±1%（ステップ遷移後の100ns）
- ノイズ実効値、最大値（保証値、代表値）
70GHz： ≦1100μV（950μV）
60GHz： ≦600μV（450μV）
40GHz： ≦480μV（330μV）
括弧内の値は、機器の通常操作で得られる代表値です。
80E10B
- 立上り時間
- 7ps（立上がり時間＝0.35÷帯域）
- ダイナミック・レンジ
- 1.0Vp-p
- オフセット・レンジ
- ±1.1V
- 最大動作電圧
- ±1.1V
- 最大非破壊電圧、DC＋ACp-p
- 2.0V
- 垂直ビット数
- 16ビット（フル・スケール）
- 水平感度レンジ
- 10mV～1.0V、フル・スケール
- DC垂直電圧確度（シングル・ポイント、±2℃以内の温度補償において）
- ±2mV
±0.007×（オフセット）
±0.02×（垂直値－オフセット）
- ステップ応答アベレーション、代表値
- ±1%以下（ステップ遷移前の10ns～20ps）
＋6%、－10%以下（ステップ遷移後の最初の400ps）
＋0%、－4%以下（ステップ遷移後の400ps～3ns）
＋1%、－2%以下（ステップ遷移後の3ns～100ns）
±1%（ステップ遷移後の100ns）
- ノイズ実効値、最大値（保証値、代表値）
50GHz： ≦700μV（600μV）
40GHz： ≦480μV（370μV）
30GHz： ≦410μV（300μV）
括弧内の値は、機器の通常操作で得られる代表値です。
- TDRステップ振幅
- 250mV（いずれのステップ波の極性も反転可）
- TDRシステムの反射立上り時間
- 15ps
- TDRシステムの入射立上り時間
- 12ps
- TDRステップ・デスキュー・レンジ
- ±250ps
- TDRサンプラ・デスキュー・レンジ
- ±250ps
- TDRステップ最大繰り返しレート
- 300kHz
DSA8200型、TDS/CSA8200型、TDS/CSA8000型メインフレームで使用した場合、TDRステップ最大繰返しレートは200kHzになります。
80E09B
- 立上り時間
- 5.8ps（立上がり時間＝0.35÷帯域）
- ダイナミック・レンジ
- 1.0Vp-p
- オフセット・レンジ
- ±1.1V
- 最大動作電圧
- ±1.1V
- 最大非破壊電圧、DC＋ACp-p
- 2.0V
- 垂直ビット数
- 16ビット（フル・スケール）
- 水平感度レンジ
- 10mV～1.0V、フル・スケール
- DC垂直電圧確度（シングル・ポイント、±2℃以内の温度補償において）
- ±2mV
±0.007×（オフセット）
±0.02×（垂直値－オフセット）
- ステップ応答アベレーション、代表値
- ±1%以下（ステップ遷移前の10ns～20ps）
＋6%、－10%以下（ステップ遷移後の最初の400ps）
＋0%、－4%以下（ステップ遷移後の400ps～3ns）
＋1%、－2%以下（ステップ遷移後の3ns～100ns）
±1%（ステップ遷移後の100ns）
- ノイズ実効値、最大値（保証値、代表値）
- 60GHz： ≦600μV（450μV）
40GHz： ≦480μV（330μV）
30GHz： ≦410μV（300μV）
括弧内の値は、機器の通常操作で得られる代表値です。
80E08B型
- 立上り時間
- 11.7ps（立上がり時間＝0.35÷帯域）
- ダイナミック・レンジ
- 1.0Vp-p
- オフセット・レンジ
- ±1.1V
- 最大動作電圧
- ±1.1V
- 最大非破壊電圧、DC＋ACp-p
- 2.0V
- 垂直ビット数
- 16ビット（フル・スケール）
- 水平感度レンジ
- 10mV～1.0V、フル・スケール
- DC垂直電圧確度（シングル・ポイント、±2℃以内の温度補償において）
- ±2mV
±0.007×（オフセット）
±0.02×（垂直値－オフセット）
- ステップ応答アベレーション、代表値
- ±1%以下（ステップ遷移前の10ns～20ps）
＋6%、－10%以下（ステップ遷移後の最初の400ps）
＋0%、－4%以下（ステップ遷移後の400ps～3ns）
＋1%、－2%以下（ステップ遷移後の3ns～100ns）
±1%（ステップ遷移後の100ns）
- ノイズ実効値、最大値（保証値、代表値）
30GHz： ≦410μV（300μV）
20GHz： ≦380μV（280μV）
括弧内の値は、機器の通常操作で得られる代表値です。
- TDRステップ振幅
- 250mV（いずれのステップ波の極性も反転可）
- TDRシステムの反射立上り時間
- 20ps
- TDRシステムの入射立上り時間
- 18ps
- TDRステップ・デスキュー・レンジ
- ±250ps
- TDRサンプラ・デスキュー・レンジ
- ±250ps
- TDRステップ最大繰り返しレート
- 300kHz
DSA8200型、TDS/CSA8200型、TDS/CSA8000型メインフレームで使用した場合、TDRステップ最大繰返しレートは200kHzになります。
80E07B型
- 立上り時間
- 11.7ps（立上がり時間＝0.35÷帯域）
- ダイナミック・レンジ
- 1.0Vp-p
- オフセット・レンジ
- ±1.1V
- 最大動作電圧
- ±1.1V
- 最大非破壊電圧、DC＋ACp-p
- 2.0V
- 垂直ビット数
- 16ビット（フル・スケール）
- 水平感度レンジ
- 10mV～1.0V、フル・スケール
- DC垂直電圧確度（シングル・ポイント、±2℃以内の温度補償において）
- ±2mV
±0.007×（オフセット）
±0.02×（垂直値－オフセット）
- ステップ応答アベレーション、代表値
- ±1%以下（ステップ遷移前の10ns～20ps）
＋6%、－10%以下（ステップ遷移後の最初の400ps）
＋0%、－4%以下（ステップ遷移後の400ps～3ns）
＋1%、－2%以下（ステップ遷移後の3ns～100ns）
±1%（ステップ遷移後の100ns）
- ノイズ実効値、最大値（保証値、代表値）
30GHz： ≦410μV（300μV）
20GHz： ≦380μV（280μV）
括弧内の値は、機器の通常操作で得られる代表値です。
80E04型
- 立上り時間
- ≦17.5ps（立上がり時間＝0.35÷帯域）
- ダイナミック・レンジ
- 1.0Vp-p
- オフセット・レンジ
- ±1.6V
- 最大動作電圧
- ±1.6V
- 最大非破壊電圧、DC＋ACp-p
- 3.0V
- 垂直ビット数
- 16ビット（フル・スケール）
- 水平感度レンジ
- 10mV～1.0V、フル・スケール
- DC垂直電圧確度（シングル・ポイント、±2℃以内の温度補償において）
- ±2mV
±0.007×（オフセット）
±0.02×（垂直値－オフセット）
- ステップ応答アベレーション、代表値
- ±3%以下（ステップ遷移前の10ns～20ps）
＋10%、－5%以下（ステップ遷移後の最初の300ps）
±3%以下（ステップ遷移後の300ps～5ns）
±1%以下（ステップ遷移後の5ns～100ns）
±0.5%（ステップ遷移後の100ns）
- ノイズ実効値、最大値（保証値、代表値）
- 20GHz： ≦1.2mV（600µV）
括弧内の値は、機器の通常操作で得られる代表値です。
- TDRステップ振幅
- 250mV（いずれのステップ波の極性も反転可）
- TDRシステムの反射立上り時間
- 28ps
- TDRシステムの入射立上り時間
- 23ps
- TDRステップ・デスキュー・レンジ
- ±50ps
- TDRサンプラ・デスキュー・レンジ
- ＋100ns、－500ps（スロット・デスキューのみ）
- TDRステップ最大繰り返しレート
- 300kHz
DSA8200型、TDS/CSA8200型、TDS/CSA8000型メインフレームで使用した場合、TDRステップ最大繰返しレートは200kHzになります。
80E03型、80E03-NV型
- 立上り時間
- ≦17.5ps（立上がり時間＝0.35÷帯域）
- ダイナミック・レンジ
- 1.0Vp-p
- オフセット・レンジ
- ±1.6V
- 最大動作電圧
- ±1.6V
- 最大非破壊電圧、DC＋ACp-p
- 3.0V
- 垂直ビット数
- 16ビット（フル・スケール）
- 水平感度レンジ
- 10mV～1.0V、フル・スケール
- DC垂直電圧確度（シングル・ポイント、±2℃以内の温度補償において）
- ±2mV
±0.007×（オフセット）
±0.02×（垂直値－オフセット）
- ステップ応答アベレーション、代表値
- ±3%以下（ステップ遷移前の10ns～20ps）
＋10%、－5%以下（ステップ遷移後の最初の300ps）
±3%以下（ステップ遷移後の300ps～5ns）
±1%以下（ステップ遷移後の5ns～100ns）
±0.5%（ステップ遷移後の100ns）
- ノイズ実効値、最大値（保証値、代表値）
- 20GHz： ≦1.2mV（600µV）
括弧内の値は、機器の通常操作で得られる代表値です。
寸法／質量
| 幅 | 高さ | 奥行 | 質量 | |
|---|---|---|---|---|
| 80E11型80E11X1型 80E04型 80E03型 80E03-NV型 | 79.0mm [3.1インチ] | 25.0mm [1.0インチ] | 135mm [5.3インチ] | 0.4kg [0.87ポンド] |
| 80E10B型80E09B型 80E08B型 80E07B型1 | 55mm [2.2インチ] | 25.0mm [1.0インチ] | 75mm [3.0インチ] | 0.175kg [0.37ポンド] |
180E10B型、80E09B型、80E08B型、80E07B型のリモート・サンプラ・モジュール特性
ご注文の際は以下の型名をご使用ください。
80E00シリーズ電気サンプリング・モジュールの詳細については、当社Webサイト（www.Tektronix.com/ja）からDSA8300型デジタル・シリアル・アナライザ、80C00シリーズ・サンプリング・モジュール、80E00シリーズ・サンプリング。モジュール、80A00シリーズ・モジュールのスペシフィケーション・テクニカル・リファレンス（当社部品番号 077-0571-xx）をダウンロードしてください。
型名
- 80E11
- デュアル・チャンネル、サンプリング・モジュール（70GHz以上）
- 80E11X1
- 80E11型のシングル・チャンネル版
- 80E10B
- デュアルチャンネル、真の差動TDRサンプリング・モジュール（50GHz）、リモート・サンプラ
- 80E09B
- デュアルチャンネル、サンプリング・モジュール（60GHz）
- 80E08B
- デュアルチャンネル、真の差動TDRサンプリング・モジュール（30GHz）、リモート・サンプラ
- 80E07B
- デュアルチャンネル、サンプリング・モジュール（30GHz）
- 80E04
- デュアルチャンネル、真の差動TDRサンプリング・モジュール（20GHz）
- 80E03/80E03-NV
- デュアルチャンネル、サンプリング・モジュール（20GHz）1
180E03-NV型については帯域幅が直接検証され、校正証明書には当該モジュールの帯域テスト結果に関するデータが記載されます。
機器のオプション
- 80E04 Opt. 09
- 80E04型モジュールに2台の80A09型EOS/ESDプロテクション・デバイスが付属
サービス・オプション
- Opt.C3
- 3年標準校正（納品後2回実施）
- Opt.C5
- 5年標準校正（納品後4回実施）
- Opt.D1
- 英文試験成績書
- Opt.D3
- 3年試験成績書（Opt. C3と同時発注）
- Opt.D5
- 5 年試験成績書（Opt. C5 と同時発注）
- Opt.G3
- 3年間ゴールド・サービス・プラン
- Opt.G5
- 5年間ゴールド・サービス・プラン
- Opt. R3
- 3年保証期間
- Opt.R5
- 5年保証期間
推奨アクセサリ
- 80E04UP Opt. 09
- 80E04型用アップグレード・キット（80E04型モジュールを固定できるケースに2台の80A09型EOS/ESDプロテクション・デバイスを装備）
- 015-1001-xx
- 2：1アッテネータ（SMAオス／メス）
- 015-1002-xx
- 5：1アッテネータ（SMAオス／メス）
- 011-0157-xx
- アダプタ（2.4mmオス／2.92mmメス。1.85mmオス／2.92mmメスの組み合わせでも使用可能）
- P8018
- 20GHzシングルエンドTDRプローブ。サンプリングまたはTDRモジュールの静電気保護のために80A02型モジュール（下記参照）を推奨
- P80318
- 18GHz差動TDRプローブ。サンプリングまたはTDRモジュールの各ちゃんねるの静電気保護のために80A02型モジュール（下記参照）を推奨
- 80A09
- 26GHz ESDプロテクション・アクセサリ
- 80A02
- EOS/ESD保護モジュール（1チャンネル）。P8018型またはP80318型TDRプローブ（上記参照）を推奨
- 80X01
- サンプリング・モジュール延長ケーブル、1m（80E11型、80E11X1型、80E04型、80E03型、80E03-NV型用）
- 80X02
- サンプリング・モジュール延長ケーブル、2m（80E11型、80E11X1型、80E04型、80E03型、80E03-NV型用）
当社はSRI Quality System RegistrarによりISO 9001およびISO 14001に登録されています。 85Z-13497-23