Caractérisation des performances des composants en Si, SiC et GaN

Commercialiser plus rapidement vos composants semi-conducteurs de puissance

Les applications exigeantes dans l'électrification des véhicules et les communications RF nécessitent une technologie semi-conductrice à large bande interdite telle que le SiC et le GaN, ainsi que l'utilisation continue du silicium traditionnel. Le SiC et le GaN offrent des fréquences de fonctionnement de tension plus élevées et des températures plus élevées, avec une perte de puissance inférieure à celle du Si. Comprendre les performances électriques du SiC et du GaN permettra d'obtenir une proposition de valeur solide pour leur utilisation dans de nombreuses applications de puissance émergentes. Accélérez la mise sur le marché de vos composants semi-conducteurs de puissance, tout en réduisant le nombre de défaillances des appareils sur le terrain.

Effectuer des tests sur de larges enveloppes de puissance

La caractérisation des performances électriques de composants en SiC ou GaN niveau wafer ou module nécessite d'apprendre à utiliser de nouvelles techniques, telles que l'utilisation d'instruments de puissance supérieure, de gérer les difficultés liées au probing et d'effectuer des mesures de niveaux bas, par exemple un courant de fuite en pA en présence de tensions de claquage élevées. Avec les semi-conducteurs à large bande interdite, il est plus courant d’obtenir des tensions allant jusqu'à 3 000 V et des courants allant jusqu’à 100 A. Il est tout aussi important d’optimiser le système de test afin de réduire le temps nécessaire pour modifier les configurations permettant d’effectuer des mesures de l'état passant, de l'état non-passant et de la capacité.

Paramétrage typique de mesure de l’état passant (ON).

En savoir plus :

Note d'application Résoudre les problèmes de connexion lors des tests de composants semi-conducteurs de puissance sur wafer

Connexion d’instruments à des probers et équipements de test

La connexion d'instruments haute puissance à des stations de probing et équipements de test peut être une tâche complexe. De mauvaises connexions entraînent souvent des erreurs de mesure. Le panneau d'interface haute puissance 8020 fournit une interface hautement précise, flexible et facile à utiliser entre les SMU Keithley et un ensemble de stations de probing à semi-conducteurs ou d'équipements de test personnalisés. Le panneau d'interface dispose de six voies de mesures prenant en charge des mesures de 3 kV, 200 V et 100 A. Vous pouvez configurer cinq voies avec différents types de connecteurs de sortie adaptés à votre station de probing. Vous pouvez configurer quatre voies avec les tés de polarisation en option. Cela vous permet d'obtenir des mesures C-V haute tension sur un maximum de quatre broches de l'appareil testé.

Panneau d’interface haute puissance Keithley 8020.

En savoir plus :

Manuel d'utilisation du panneau d'interface haute puissance 8020

Automatiser le séquencement d'alimentation pour la caractérisation I-V

Plus besoin de programmer votre test grâce au logiciel de caractérisation Keithley ACS. ACS est un environnement de test logiciel interactif et polyvalent, conçu pour la caractérisation des composants, les tests paramétriques, les tests de fiabilité et les tests fonctionnels simples. Le logiciel ACS prend en charge une large gamme d'instruments, de systèmes, de configurations de matériel et de tests Keithley. ACS permet aux utilisateurs de configurer leurs instruments avec l'outil de gestion automatique du matériel et de réaliser des tests rapidement sans compétences en programmation.

Séquencement d'alimentation pour la caractérisation I-V des circuits HEMT GaN

En savoir plus :

Séquence d'alimentation pour la caractérisation des circuits HEMT GaN