Charakterisierung der Leistung von Si-, SiC- und GaN-Geräten

Beschleunigte Markteinführung für Ihre Leistungshalbleiterkomponenten

Anspruchsvolle Anwendungen bei der Elektrifizierung von Fahrzeugen und in der HF-Kommunikation erfordern Halbleitertechnologien mit großer Bandlücke wie SiC und GaN bei gleichzeitiger Verwendung von herkömmlichem Silizium. SiC und GaN ermöglichen höhere Betriebsfrequenzen mit höherer Spannung und höhere Temperaturen bei geringerem Leistungsverlust im Vergleich zu Si. Das Verständnis des elektrischen Leistungsverhaltens von SiC und GaN wird dazu beitragen, ein starkes Wertversprechen für ihren Einsatz in vielen neuen Leistungsanwendungen zu ermöglichen. Profitieren Sie von einer schnelleren Markteinführungszeit Ihrer Halbleiterbauelemente bei gleichzeitiger Minimierung von Ausfällen im Feld.

Testen über einen breiten Leistungsbereich

Die Charakterisierung der elektrischen Leistung von SiC- oder GaN-Geräten auf Wafer- und Bauelementebene erfordert das Erlernen neuer Techniken, wie z. B. die Nutzung von Hochleistungs-Geräten, den erfolgreichen Umgang mit den Schwierigkeiten von Niedrigpegelmessungen z. B. bei Leckstrommessungen im Picoampere-Bereich bei Vorhandensein hoher Durchschlagspannungen. Bei Halbleitern mit breiter Bandlücke ist es üblicher, Quellspannungen von bis zu 3000 V und Ströme von bis zu 100 A bereitzustellen. Ebenso wichtig ist es, das Testsystem so zu optimieren, dass die Einrichtzeiten für das Umschalten auf EIN und AUS sowie Kapazitätsmessungen möglichst gering ausfallen.

Typische Anordnung für Messungen im Durchlasszustand.

Weitere Informationen:

Herausforderungen bei On-Wafer-Leistungshalbleitertests bewältigen - Anwendungshinweis

Anschließen von Instrumenten an Tastkopf- und Testvorrichtungen

Das Anschließen von Hochleistungsinstrumenten an Messplätze und Testvorrichtungen kann sich als kompliziert erweisen. Unsachgemäße Anschlüsse können oft zu Messfehlern führen. Das Hochleistungs-Schnittstellenfeld Keithley 8020 bietet eine hochpräzise, flexible und benutzerfreundliche Schnittstelle zwischen Keithley SMUs und einer Vielzahl von Halbleiter-Messplätzen oder kundenspezifischen Testvorrichtungen. Das Schnittstellenfeld verfügt über sechs Messpfade für 3 kV-, 200 V- und 100 A-Messungen. Für fünf der Pfade können unterschiedliche Ausgangssteckertypen konfiguriert werden, um eine Übereinstimmung mit Ihrem Messplatz zu garantieren. Für vier der Pfade können optionale Bias-Tees konfiguriert werden. Dies ermöglicht Hochspannungs-C-V-Messungen an bis zu vier Polen des zu testenden Geräts.

Hochleistungs-Schnittstellenfeld Keithley 8020.

Weitere Informationen:

Benutzerhandbuch zum Hochleistungs-Schnittstellenfeld 8020

Automatisierung der Power Sequencing zur I-V-Charakterisierung

Sparen Sie sich die Mühe, Ihren Test mit der ACS-Software (Automated Characterization Suite) von Keithley zu programmieren. ACS ist eine flexible, interaktive Software-Testumgebung für die Charakterisierung von Bauelementen, für Zuverlässigkeitstests, parametrische Tests und einfache Funktionstests. ACS unterstützt ein breites Spektrum an Keithley Geräten und Systemen, Hardwarekonfigurationen und Testeinstellungen. Mit ACS können Benutzer ihre Geräteausstattung mithilfe des automatisierten Hardware-Management-Tools konfigurieren und Tests schnell durchführen, ohne dass Programmierkenntnisse erforderlich sind.

Power Sequencing zur I-V-Charakterisierung von GaN HEMTs.

Weitere Informationen:

Power Sequencing zur I-V-Charakterisierung von GaN HEMTs