Kontaktaufnahme
Live-Chat mit Tektronix-Vertretern. Verfügbar von 9 bis 17 Uhr CET Geschäftstage.
Kontaktieren Sie uns telefonisch unter
Verfügbar von 9 bis 17 Uhr CET Geschäftstage.
Download
Laden Sie Handbücher, Datenblätter, Software und vieles mehr herunter:
Feedback
Testen von Halbleitern mit großer Bandlücke
Die Charakterisierung intrinsischer Variablen (IV) ist entscheidend für die Entwicklung von Halbleitern mit großer Bandlücke. Diese Halbleiter verfügen im Vergleich zu herkömmlichen Materialien über bessere elektrische Eigenschaften und können im Bereich der Leistungselektronik bei vielen Anwendungen zum Einsatz kommen. Wenn man die I-V-Eigenschaften dieser Materialien kennt, kann man sie optimal nutzen und weiterentwickeln.
Sichere und nachhaltige Gestaltung effizienter Designs
Die Nachfrage nach Siliziumkarbid und Galliumnitrid für 5G, den Automobilsektor und für Energiesysteme steigt stark an
Weitere Informationen:
Steigen Sie ebenfalls auf SiC und GaN um?
Neue hochleistungsfähige Halbleiterkomponenten treiben die Instrumentierung auf die Spitze
So verändern SiC und GaN die Branche
ISiC und GaN kommen bei vielen verschiedenen Anwendungen zum Einsatz, einschließlich Leistungselektronik, Hochfrequenzelektronik, LED sowie Luftfahrt und Verteidigung. Durch sie können effizientere und fortschrittlichere Technologien in diesen Bereichen entwickelt werden. Außerdem fördern Sie Innovation und Fortschritt.
Impuls-I-V-Charakterisierung
Die Impuls-I-V-Charakterisierung ist ein nützliches Verfahren, mit dem die elektrischen Eigenschaften von Halbleitern und Geräten gemessen werden können. Durch das Anlegen von kurzen Spannungsimpulsen können der Widerstand, die Kapazität und andere Leistungsmerkmale des Geräts analysiert werden. Dieses Verfahren ist für Gerätetechniker, Forscher und Designer in der Leistungshalbleiterbranche äußerst wertvoll für die Entwicklung moderner und effizienter Elektronik.
Schaltplan mit Zwei-Kanal-SMU bei der I-V-Charakterisierung eines MOSFETs.
Weitere Informationen:
Impuls-I-V-Charakterisierung von MOSFETs mithilfe der Keithley KickStart-Software
Tipps und Verfahren für effiziente DC-Tests und die Strom-Spannungs-Charakterisierung
Invertierter Durchbruchsspannungstest mithilfe der Keithley KickStart-Software und einer Hochspannungs-SourceMeter® Source Measure Unit (SMU).
Weitere Informationen:
Demo zu Invertierten Durchbruchsspannungstests
2470 Durchbruch- und Leckstrommessungen an Hochspannungs-Halbleitergeräten
Auswertung der Durchbruchsspannung für anhaltende Zuverlässigkeit
Beim Testen auf Durchbruchsspannung wird ein Gerät üblicherweise einer steigenden Spannung ausgesetzt, bis in der Isolierung ein Durchbruch auftritt. Die Durchbruchsspannung kann mit speziellen Testgeräten und -verfahren gemessen werden und ist von vielen verschiedenen Faktoren abhängig, wie z. B. den Materialeigenschaften, der Materialdicke und den Geräteabmessungen.
Um die Zuverlässigkeit und die Leistung von elektrischen und elektronischen Geräten sicherzustellen, ist das Testen auf Durchbruchsspannung ein wichtiges Verfahren.
Untersuchung und Messung der Kurvenfamilie
Die Kurvenfamilie ist ein wichtiges Entwicklungskonzept, das eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung und Analyse von komplexen Systemen spielt. Diese Kurven sind eine Gruppe von grafischen Lösungen, die über ähnliche Eigenschaften sowie funktionelle Beziehungen zwischen ihren Parametern verfügen. Entwickler nutzen diese Kurven, um das Verhalten eines Systems unter verschiedenen Bedingungen nachzuvollziehen, z. B. Last, Belastung, Temperatur und Druck. Sie nutzen Sie auch, um die Leistung industrieller Prozesse zu optimieren, indem sie die besten Gestaltungsparameter auswählen. Von der Elektrotechnik bis hin zum Maschinenbau stellen Kurvenfamilien ein unverzichtbares Werkzeug dar, mit dessen Hilfe Techniker fundierte Entscheidungen treffen und effiziente Lösungen erstellen können.
I-V-Kurvenmessung mit dem Parameteranalysator 4200A-SCS.
Weitere Informationen:
Parameteranalysator 4200A-SCS mit angezeigter MOSFET-Schwellenwertspannung.
Weitere Informationen:
Top 7 Charakterisierungstests für MOSFETs
Tipps und Methoden zur Vereinfachung der Charakterisierung von MOSFET-MOSCAP-Bauelementen
Einfaches Wechseln und Verstärken von Schaltkreisen mit MOSFETs
MOSFETS (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) sind eine der am häufigsten in der modernen Entwicklungsgestaltung genutzten elektronischen Komponenten dar. MOSFETS haben die Elektrotechnik revolutioniert, da sie hocheffizient und vielseitig sind. So können mit ihrer Hilfe kleinere und effizientere Schaltkreise gebaut werden, was in der modernen Elektronik entscheidend ist. Obwohl MOSFETS in der modernen Elektronik unverzichtbar geworden sind, ist es doch wichtig, sie akkurat zu messen. Wenn MOSFETS gemessen werden, werden üblicherweise ihre elektrischen Eigenschaften bestimmt, wie z. B. Widerstand, Kapazität und die Strom-Spannung (I-V)-Kurven. Entwickler nutzen eine Vielzahl von verschiedenen Verfahren und Geräten, um die Leistung von MOSFETs zu messen. So können sie den Aufbau von Schaltkreisen optimieren und für einen zuverlässigen Betrieb sorgen.
