Contact us
Live Chat with Tek representatives. Available 6:00 AM - 4:30 PM
Call us at
Available 6:00 AM – 5:00 PM (PST) Business Days
Download
Download Manuals, Datasheets, Software and more:
Feedback
SiC và GaN giới thiệu những thách thức thử nghiệm mới
Việc sử dụng ngày càng nhiều Silicon Carbide (SiC) và Gallium Nitride (GaN) để cải thiện hiệu quả sử dụng năng lượng của trung tâm dữ liệu, tăng tốc thời gian sạc EV và hiệu suất hệ thống truyền động EV, đồng thời cải thiện quá trình chuyển đổi năng lượng đòi hỏi các phương pháp kiểm tra xác thực mới và hiểu rõ hơn về hiệu suất của thiết bị. Hiểu cách thực hiện các phép đo phù hợp và sử dụng thiết bị đo phù hợp là chìa khóa giúp bạn có thời gian đưa các thiết kế chuyển đổi năng lượng của mình ra thị trường nhanh hơn.
Xác thực chất bán dẫn WBG với sự tự tin
Vượt qua điện áp chế độ chung cao
Các phép chênh lệch không gánh (chẳng hạn như VSS phía cao) rất khó hoặc không thể thực hiện do tần số cao (bật và tắt nhanh) và sự hiện diện của điện áp chế độ chung cao (chẳng hạn như Vds) do que đo máy hiện sóng không có đủ loại bỏ chế độ chung ở băng thông cao. Loại bỏ chế độ chung kém dẫn đến phép đo bị chi phối bởi lỗi chế độ chung thay vì tín hiệu chênh lệch thực tế. Những vấn đề này có thể được giải quyết dễ dàng bằng cách sử dụng que đo tách biệt IsoVu của Tekronix không giảm tốc độ theo tần số theo yêu cầu vận hành của thiết bị GaN và SiC, cho phép bạn thực hiện các phép đo chênh lệch chính xác. Với IsoVu, bạn có thể tính toán và chứng minh chính xác suy hao dẫn truyền, suy hao thời gian chết và suy hao chuyển mạch.
Đo đồng thời nhiều tín hiệu điều khiển và định thời
Khi đánh giá các bộ chuyển đổi nguồn mới dựa trên công nghệ SiC hoặc GaN với tần số chuyển đổi nhanh hơn, bạn sẽ phải đối mặt với thách thức theo dõi đồng thời nhiều tín hiệu, ngoài việc làm việc trên các điều khiển và mạch thời gian của biến tần. Ví dụ: bạn sẽ đo Vgs bên cao, Vs bên thấp, Vds bên cao, Vgs bên thấp, Id, IL và Iload và các tín hiệu điều khiển. Bạn cũng có thể cần đo tín hiệu điện áp thấp (Vgs) khi có tín hiệu điện áp cao (Vds). Máy hiện sóng có số lượng kênh cao và độ phân giải dọc cao có thể giải quyết vấn đề của bạn.
Tìm hiểu thêm:
Đo công suất tự động nhanh hơn
Cần có phép toán độ phân giải cao, tính trung bình nhiều lần thu nhận và dạng sóng phức tạp để thực hiện các phép đo suy hao dẫn truyền và chuyển mạch chính xác, có thể lặp lại trên các thiết bị SiC và GaN tần số cao. Ngay cả các phép đo như chất lượng điện năng, sóng hài, vùng vận hành an toàn và suy hao chuyển mạch cũng yêu cầu mức độ tự động hóa trong quy trình đo đối với tất cả thông tin bạn yêu cầu. Máy hiện sóng MSO 5 Series của Tektronix với tùy chọn 5-PWR và các giải pháp đo cung cấp khả năng đo lường tự động mà bạn yêu cầu trong quá trình phát triển và gỡ lỗi thiết kế.
Đo lường và phân tích suy hao chuyển mạch
Với nhu cầu cải thiện hiệu quả sử dụng năng lượng và kéo dài thời gian hoạt động của các thiết bị chạy bằng pin, các kỹ sư đang chuyển sang sử dụng SiC và GaN thay vì silicon truyền thống cho các thiết kế của họ. Khả năng phân tích suy hao điện năng và tối ưu hóa hiệu quả cung cấp điện trở nên quan trọng hơn bao giờ hết. Một trong những yếu tố quan trọng trong hiệu quả là suy hao trong các thiết bị chuyển mạch. Ví dụ: một bộ cấp nguồn chế độ chuyển mạch điển hình có thể có hiệu suất khoảng 87%, nghĩa là 13% năng lượng đầu vào bị tiêu tán trong bộ cấp nguồn, chủ yếu là nhiệt thải. Trong suy hao này, một phần năng lượng đáng kể bị tiêu tán trong các thiết bị chuyển mạch, thường là MOSFET hoặc IGBT. Tektronix giúp bạn dễ dàng thực hiện các phép đo suy hao chuyển mạch với máy hiện sóng MSO 5 và 6 Series và phần mềm phân tích công suất tự động.
Tìm hiểu thêm: