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Wind turbines for high-power producing components and devices

전력 효율성 및 신뢰성

친환경적이고, 깨끗하며, 재생 가능하고, 효율적인 고전력 생산 구성 요소 및 장치의 생성을 가속화합니다.

우리는 끊임없이 변화하며 제한된 에너지 자원의 관리가 더욱 중요해진 세상에 살고 있습니다. 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)과 같은 광대역 밴드갭 반도체 기술의 발전은 깨끗하고, 재생 가능하며, 신뢰할 수 있는 에너지 생태계의 개발을 가능하게 하는 동시에 엔지니어에게 새로운 과제를 제시합니다. 엔지니어는 Tektronix가 오늘날의 전기화된 생태계 과제와 다가올 문제를 해결하기 위한 측정 솔루션을 제공하기 위해 존재한다고 믿습니다. 

R&D 및 검증을 위한 SiC 및 GaN용 전력 반도체 솔루션 살펴보기

Wide bandgap semiconductor materials research

광대역 밴드갭 반도체 재료 연구

WBG 재료는 더 빠른 스위칭 속도, 더 높은 전력 밀도, 고온 작동, 신뢰성, 크기 및 비용을 위해 SiC 및 GaN의 성능을 개선하기 위한 지속적인 과제의 핵심입니다.
4200A-SCS for characterizing wide bandgap semiconductors

광대역 밴드갭 장치의 특성화

SiC 또는 GaN 장치의 기본 속성과 전기적 성능을 이해하려면 정밀한 전압 및 전류 측정이 필요합니다.
iv characterization

I-V 특성화

I-V 특성화는 전자 디바이스의 전류-전압 관계를 측정하는 프로세스입니다. 디바이스 테스트 및 최적화, 광대역 밴드갭 반도체 개발에 중요합니다.
AFG31000 for double pulse testing

이중 펄스 테스트

더블 펄스 테스트는 MOSFET 또는 IGBT 전력 디바이스의 스위칭 매개변수를 측정하기 위한 표준 방법입니다. 함수 발생기에는 테스트 구성 및 설정 방법이 내장되어 있지 않기 때문에 이는 역사적으로 이중 펄스 테스트를 설정하는 데 시간이 많이 걸리는 프로세스였습니다.
wide bandgap devices

광대역 밴드갭 장치 검증

새로운 SiC 및 GaN 장치를 설계하려면 공정 개선, 수율 향상 및 비용 절감을 위해 설계 및 생산 단계에서 많은 테스트가 필요합니다. WBG 전력 장치를 테스트하려면 기존 실리콘에 비해 더 나은 분해능, 더 높은 전력 및 더 빠른 속도가 필요합니다.
Validating Power Management ICs

전력 관리 IC 검증

전력 관리 장치는 "이름 없는 영웅"으로, 배후에서 전자 시스템의 안전과 적절한 작동을 지원하는 필수 구성 요소입니다.