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전력 효율성
실험실과 웨이퍼 테스트 환경에서 안전하고 정확하며 빠른 Si, SiC, GaN MOSFET 테스트를 보장합니다. SiC 및 GaN을 설계에 도입함으로써 발생하는 테스트 문제와 이를 해결하는 방법에 대해 자세히 알아봅니다. 최종 제품의 전력 드로우(power draw)를 최소화하고 배터리 수명을 극대화하는 방법을 알아봅니다. 설계에 대한 시장 출시 기간을 단축합니다.
전력 장치 특성화
- Si, SiC 및 GaN 장치에 대한 안전하고, 정확하고, 빠른 MOSFET 테스트
- 광범위한 전력 엔벨로프(envelope)
- 안전하게 테스트 설정
- 시장 출시 기간을 단축하는 2배 빠른 장치 특성화
- 광대역 밴드갭 장치의 비용이 많이 드는 과도한 설계 방지
자동 파라메트릭(Parametric) 테스트
- 전자동 HV 웨이퍼 레벨 테스트
- 테스트 설정을 변경하지 않고도 고전압에서 저전압으로 전환
- 수동 재구성 없이 커패시턴스(capacitance) 측정 빠른 자동화
파워 서플라이 측정 및 분석
- 스위칭 손실 측정 및 분석
- 회로 내 인덕터 및 변압기 측정
- GaN 및 SiC 스위칭 장치 측정
- SOA(안전 동작 영역)
- 파워 서플라이 제거비
- 제어 루프 응답
PDN에서의 전원 무결성 분석
- DC를 차단하지 않고 고주파 리플 측정
- 1V~48V 이상의 파워 서플라이 처리
- 측정 시스템 노이즈 영향 최소화
- PDN 임피던스 측정
- 동기화된 스펙트럼과 파형을 이용한 노이즈 찾기
- 자동 파워 레일 측정
3상 가변 주파수 드라이브에서의 측정
- PWM 3상 모터 드라이브에서 측정을 안정적으로 수행
- 오실로스코프 기반 페이서 다이어그램
- 시스템 효율 측정
- DC 버스 측정
- 2V2I, 3V3I 스타 및 델타 구성뿐 아니라 DC 입력/3상 출력도 지원
전력 효율성의 추가 애플리케이션: