Contact us

Live Chat with Tek representatives. Available 6:00 AM - 4:30 PM

Call

Call us at

Available 6:00 AM – 5:00 PM (PST) Business Days

Download

Download Manuals, Datasheets, Software and more:

DOWNLOAD TYPE
MODEL or KEYWORD

Feedback

Kiểm tra chất bán dẫn khe vùng rộng

Việc mô tả đặc tính của các biến nội tại (IV) là rất quan trọng để phát triển chất bán dẫn khe vùng rộng. Các chất bán dẫn này, có đặc tính điện vượt trội so với các vật liệu truyền thống, có nhiều ứng dụng tiềm năng trong linh kiện điện tử điện. Hiểu các đặc tính IV của những vật liệu này sẽ cho phép sử dụng và phát triển chúng một cách tối ưu.

An toàn và bền vững tạo ra những thiết kế hiệu quả hơn

Tektronix IV Characterization - image about SiC and Gan demand for 5G, automotive, and energy systems

Nhu cầu silicon cacbua và gallium Nitride cho các hệ thống 5G, ô tô và năng lượng đang tăng lên


Tìm hiểu thêm:

Bạn có đang chuyển đổi 'Sức mạnh' lớn sang SiC và GaN không?

Các thiết bị bán dẫn công suất cao mới đang đẩy thiết bị đo đến cực hạn

Cách SiC và GaN thay đổi ngành

ISiC và GaN đang được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm linh kiện điện tử điện, linh kiện điện tử tần số cao, đèn LED, hàng không vũ trụ và quốc phòng. Những vật liệu này cho phép phát triển các công nghệ tiên tiến và hiệu quả hơn trong các lĩnh vực này, đồng thời đang thúc đẩy sự đổi mới và tiến bộ.

Mô tả đặc điểm I-V xung

Xung IV là một kỹ thuật hữu ích để đo tính chất điện của chất bán dẫn và thiết bị. Bằng cách áp dụng các xung điện áp ngắn, chúng tôi có thể phân tích điện trở, điện dung và các chỉ số hoạt động khác của thiết bị. Kỹ thuật này rất có giá trị đối với các kỹ sư thiết bị, nhà nghiên cứu và nhà thiết kế trong ngành công nghiệp chất bán dẫn điện để phát triển các thiết bị điện tử tiên tiến và hiệu quả.

Tektronix IV Characterization circuit diagram showing a two-channel SMU in use for I-V characterization of a MOSFET

Sơ đồ mạch hiển thị SMU hai kênh được sử dụng để mô tả đặc điểm IV của MOSFET.


Tìm hiểu thêm:

Mô tả đặc điểm xung IV của MOSFET bằng phần mềm Keithley KickStart

Mẹo và kỹ thuật cho kiểm tra DC hiệu quả và mô tả đặc điểm điện áp-dòng điện

Tektronix IV Characterization - screen capture of Keithley KickStart Software reverse breakdown voltage test

Kiểm tra điện áp đánh thủng ngược bằng Phần mềm Keithley KickStart và Thiết bị đo nguồn SourceMeter® (SMU) điện áp cao 2470.


Tìm hiểu thêm:

Demo kiểm tra điện áp đánh thủng đảo

Các phép đo dòng điện rò rỉ và đánh thủng 2470 trên thiết bị bán dẫn điện áp cao

Đánh giá điện áp sự cố để đảm bảo độ tin cậy

Kiểm tra điện áp đánh thủng thường liên quan đến việc tăng mức điện áp cho một thiết bị cho đến khi thiết bị gặp sự cố về đặc tính cách điện. Điện áp đánh thủng có thể được đo bằng thiết bị và quy trình kiểm tra chuyên dụng và có thể phụ thuộc vào nhiều yếu tố khác nhau như đặc tính của vật liệu, độ dày của vật liệu và hình dạng của thiết bị.

Kiểm tra điện áp đánh thủng là một quy trình quan trọng để đảm bảo độ tin cậy và hiệu suất của các thiết bị điện và điện tử.

Khám phá và đo lường họ đường cong

Họ các đường cong là một khái niệm thiết yếu trong kỹ thuật đóng vai trò quan trọng trong việc thiết kế và phân tích các hệ thống phức tạp. Những đường cong này là một nhóm các giải pháp đồ họa có chung đặc điểm và mối quan hệ chức năng giữa các thông số của chúng. Các kỹ sư sử dụng các đường cong này để hiểu hoạt động của một hệ thống trong các điều kiện khác nhau, chẳng hạn như tải trọng, ứng suất, nhiệt độ và áp suất. Họ cũng sử dụng chúng để tối ưu hóa hiệu suất của các quy trình công nghiệp bằng cách chọn các thông số thiết kế tốt nhất. Từ kỹ thuật điện đến cơ khí, họ đường cong là một công cụ không thể thiếu giúp các kỹ sư đưa ra quyết định sáng suốt và tạo ra các giải pháp hiệu quả.

IV Characterization - image of a Tektronix 4200-SCS Parameter Analyzer measuring I-V curves

Máy phân tích thông số 4200A-SCS đo đường cong IV.


Tìm hiểu thêm:

Cách thực hiện các phép đo IV và CV tự động

Mô tả đặc điểm I-V cơ bản sử dụng Model 2450 SMU

Chuyển đổi và khuếch đại mạch dễ dàng với MOSFET

MOSFET, hoặc Bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại, là một trong những linh kiện điện tử được sử dụng phổ biến nhất trong thiết kế kỹ thuật hiện đại. MOSFET đã cách mạng hóa kỹ thuật điện tử nhờ hiệu quả cao và linh hoạt cho phép các mạch nhỏ hơn và hiệu quả hơn, vốn rất cần thiết trong các thiết bị điện tử hiện đại. Mặc dù chúng đã trở nên cần thiết trong các thiết bị điện tử ngày nay, nhưng điều quan trọng là phải đo MOSFET một cách chính xác. Việc đo MOSFET thường liên quan đến việc xác định các đặc tính điện của chúng, chẳng hạn như điện trở, điện dung và đường cong dòng điện-điện áp (IV). Các kỹ sư sử dụng nhiều kỹ thuật và công cụ khác nhau để đo hiệu suất của MOSFET, cho phép họ tối ưu hóa thiết kế mạch và đảm bảo hoạt động đáng tin cậy.

Sản phẩm

SMU 2650 Series cho công suất cao

  • Công suất bán dẫn GaN, SiC
  • Kiểm tra tấm pin năng lượng mặt trời
  • Nghiên cứu di chuyển điện
  • Mô tả đặc điểm nhiệt độ mối nối bán dẫn
2470 SMU front image for product series

SMU Series màn hình cảm hứng đồ họa 2400 của Keithley

  • Nghiên cứu vật liệu cấu trúc nano
  • Công suất bán dẫn GaN, SiC
  • Phát triểm cảm biến sinh học
  • Thiết kế thiết bị bán dẫn
  • Thiết kế cảm biến ô tô
Parametric Curve Tracer Configurations

Cấu hình theo dấu đường cong I-V

Các giải pháp hoàn chỉnh để mô tả đặc điểm thiết bị bán dẫn công suất cao

半導体パラメータアナライザ

Máy phân tích tham số Keithley 4200A-SCS

Một giải pháp tích hợp đầy đủ để mô tả các vật liệu, quy trình và thiết bị bán dẫn