Kiểm tra xung kép

Phương pháp chuẩn để đo thông số chuyển mạch

Giảm thiểu suy hao chuyển mạch tiếp tục là một thách thức lớn đối với các kỹ sư thiết bị điện làm việc trên các thiết bị SiC và GaN. Phương pháp kiểm tra tiêu chuẩn để đo các thông số chuyển mạch và đánh giá hành vi động của MOSFET Si, SiC và GaN cũng như IGBT là Kiểm tra xung kép (DPT). Kiểm tra xung kép có thể được sử dụng để đo suy hao năng lượng trong quá trình bật và tắt thiết bị, cũng như các thông số khôi phục ngược.

Cách tạo tín hiệu ổ đĩa cổng để kiểm tra xung kép

Cách dễ nhất để tạo tín hiệu điều khiển cổng để thực hiện kiểm tra xung kép là sử dụng máy tạo dạng sóng tùy ý (AFG). Một AFG có thể được sử dụng để tạo tín hiệu điều khiển cổng để thực hiện kiểm tra xung kép. Tektronix AFG31000 được tích hợp ứng dụng kiểm tra xung kép để tạo ra các xung có độ rộng xung khác nhau.

Thiết bị được thiết lập để tiến hành kiểm tra xung kép.

Tìm hiểu thêm:

Kiểm tra xung kép với AFG31000

Đo khôi phục ngược

Thời gian khôi phục ngược của điốt là thước đo tốc độ chuyển mạch trong điốt và do đó ảnh hưởng đến suy hao chuyển mạch trong thiết kế biến tần. Dòng khôi phục ngược xảy ra trong quá trình bật xung thứ hai. Như thể hiện trong sơ đồ, điốt đang dẫn ở điều kiện thuận trong pha 2. Khi MOSFET phía thấp bật lại, điốt sẽ ngay lập tức chuyển sang điều kiện chặn ngược; tuy nhiên, điốt sẽ dẫn điện ở điều kiện ngược lại trong một khoảng thời gian ngắn, được gọi là dòng khôi phục ngược. Dòng điện khôi phục ngược này được chuyển thành suy hao năng lượng, ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất của biến tần năng lượng.

Mạch kiểm tra xung kép.