wide_bandgap_switching_power_converter_analysis
Contact us
Live Chat with Tek representatives. Available 6:00 AM - 4:30 PM
Call
Call us at
Available 6:00 AM – 5:00 PM (PST) Business Days
Download
Download Manuals, Datasheets, Software and more:
Feedback
Bộ phân tích chuyển đổi điện chuyển mạch SiC MOSFET và GaN FET
Công nghệ chuyển mạch bán dẫn công suất cực nhanh như SiC hoặc GaN tạo nên một số cấu trúc liên kết điện tử công suất ngày nay rất khó tối ưu hóa. Bộ phân tích bộ chuyển đổi nguồn điện chuyển mạch SiC MOSFET và GaN FET là giải pháp duy nhất trên thị trường có thể mô tả chính xác tất cả các thông số quan trọng để tối ưu hóa cấu trúc liên kết Điện tử công suất sử dụng công nghệ như SiC và GaN, bao gồm:
- Sạc cổng và hiệu suất truyền động cổng ở bên thấp bên cao
- Tối ưu hóa thời gian chết bao gồm thời gian bật, tắt và truyền động cổng chính xác
- Các phép đo VGS, VDS và ID trên các công tắc bên cao và bên thấp
- Suy hao chuyển mạch, suy hao dẫn và phân tích suy giảm từ trường
POWERSOL1
Tối ưu hóa thời gian chết và loại bỏ dao động sai
Đặc điểm mạch nửa cầu dựa trên GaN
Các tín hiệu tần số cao, cổng di động (VGS), suy hao (VDS) hoặc dòng điện (ID) thực tế không thể thực hiện được với các que đo chênh lệch truyền thống hoặc máy hiện sóng di động do điện dung và điện cảm khí sinh trong vòng đo.
Máy phân tích bộ chuyển đổi công suất chuyển mạch SiC MOSFET và GaN FET bao gồm các que đo chênh lệch được cách ly quang học IsoVuTM sử dụng nhiều công nghệ đã được cấp bằng sáng chế để loại bỏ các hiệu ứng biến chế độ phổ biến của tín hiệu chênh lệch. Ngay cả ở tần số chuyển mạch cực cao, hệ thống truyền dữ liệu dựa trên laser của IsoVu loại bỏ bất kỳ kết nối điện nào, mang đến cho bạn khả năng từ chối chế độ thông thường chưa từng có.
- Tối ưu hóa thời gian chết với các phép đo VGS và VDS bên cao và bên thấp đồng thời
- Mô tả chính xác đặc điểm sạc cổng trong điều kiện tải thực và tối ưu hóa hiệu suất truyền động cổng
- Phạm vi điện áp chênh lệch từ 1 mV đến 2500 V
- Băng thông lên đến 1 GHz để chuyển đổi cực nhanh
- Điện áp chế độ chung cao tới 60vKV
- Đỉnh điện dung đầu vào thấp (<1pF)
- Kiểm tra dòng điện suy hao (ID) chính xác qua shunt dòng điện di động với loại bỏ chế độ chung cao
Tự động hóa các phép đo suy hao trong điều kiện hoạt động thực tế
Suy hao khi chuyển mạch cho thấy sự tiêu tán công suất trong FET. Các dạng sóng được chú thích bằng các điểm đánh dấu mã màu hiển thị vùng đo cho chu kỳ Ton, Toff và Totally, tương ứng với các giá trị trong huy hiệu kết quả. Các điều khiển trong huy hiệu kết quả cho phép bạn dễ dàng di chuyển từ chu kỳ này sang chu kỳ khác.
Các phép đo chất lượng điện, hiệu suất và tổn thất để tối ưu hóa và xác nhận thiết kế nguồn SiC hoặc GaN có thể được thực hiện thủ công. Tuy nhiên, nhiều kỹ sư sử dụng các công cụ tự động hóa trên một máy hiện sóng để đạt được kết quả nhanh hơn, có thể lặp lại nhiều hơn. Giải pháp này bao gồm gói phần mềm Phân tích và đo lường công suất nâng cao 5-PWR giúp tự động hóa các phép đo chất lượng, hiệu suất và tổn thất điện năng cho các thiết bị chuyển mạch, cuộn cảm trong mạch và máy biến áp, đầu ra DC và các phép đo đường dây AC.
Bằng cách đo lường và tối ưu hóa từng hệ thống con trong điều kiện thực tế, bạn có thể đạt được hiệu quả cao nhất có thể từ các thiết kế nguồn của mình.
Các phép đo chính bao gồm:
- Các phép đo thiết bị chuyển mạch, chẳng hạn như phân tích suy hao khi chuyển mạch và vùng hoạt động an toàn trên GaN, SiC hoặc silicon FETS
- Các phép đo cuộn cảm trong mạch và máy biến áp, bao gồm các đường cong BH điện cảm và phân tích tổn thất từ trường
- Các phép đo đầu ra DC như hiệu suất, độ gợn sóng và bật/tắt
- Các phép đo đường AC: Phân tích nguồn AC bao gồm cả sóng hài
Có gì trong hệ thống PowerSol1?
- Máy hiện sóng MSO 5 Series - Độ phân giải cao (12 bit) để kiểm tra Vgs, RDS_ON và suy hao dẫn trong điều kiện thực.
- Phần mềm 5-PWR - Các phép đo công suất tự động, chính xác và có thể lặp lại để tính toán tổn thất chuyển mạch, tổn thất dẫn, RDS_ON, tổn thất từ trường, SOA và nhiều hơn nữa trong điều kiện hoạt động thực tế.
- Hướng dẫn bo demo nửa cầu GaN – Hướng dẫn giới thiệu để bắt đầu.
- Que đo điện áp chênh lệch cách ly TIVH08 IsoVu – Định mức điện áp vi sai 2,5 KV để kiểm tra tín hiệu VDS trên bộ chuyển đổi điện SiC và GaN điện áp cao. Cũng có băng thông 800 MHz cho dv/dt cực nhanh phổ biến cho các thiết bị điện SiC và GaN.
- Que đo điện áp chênh lệch cách ly TIVH05 IsoVu (Tùy chọn) – Định mức điện áp vi sai 2,5 KV để kiểm tra tín hiệu VDS trên bộ chuyển đổi nguồn SiC và GaN điện áp cao. Cũng có băng thông 500 MHz cho dv/dt cực nhanh phổ biến cho các thiết bị điện SiC và GaN.
- Que đo chênh lệch cách ly TIVM1 IsoVu (Tùy chọn) – Băng thông 1 GHz cho tín hiệu dv/dt cực nhanh trên tín hiệu điện áp thấp (<50 V) như VGS và điện áp song song.
- Que đo thụ động băng thông cao TPP1000 (Phụ kiện tiêu chuẩn) - là thiết bị tiêu chuẩn đi kèm với máy hiện sóng của bạn; một que đo cho mỗi kênh. Băng thông 1 GHz để kiểm tra tín hiệu dv/dt cao được tham chiếu đến sân thử nghiệm như VGS_LOW và điện áp song song.
- Đầu được che chắn MMCX cho que đo thụ động băng thông cao (Tùy chọn) – giúp các phép đo tham chiếu trên sân thử nghiệm tần số cao chính xác hơn bằng cách loại bỏ các vòng nối đất. Xem video này về cách tạo các điểm kiểm tra ngoài kế hoạch với các đầu nối MMCX tại đây (206-0663-xx).