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Analyse-Kit für SiC MOSFET- und GaN FET-Schaltleistungswandler
Ultraschnelle Leistungshalbleiter-Schalttechnologien wie Sic oder GaN, auf denen einige der modernsten Leistungselektroniktopologien basieren, sind extrem schwierig zu optimieren. Das Analyse-Kit für SiC MOSFET- und GaN FET-Schaltleistungswandler ist die einzige Lösung auf dem Markt, mit der sich alle kritischen Parameter für die Optimierung von Leistungselektroniktopologien, die Technologien wie SiC oder GaN verwenden, exakt charakterisieren lassen, einschließlich:
- Gate-Ladung und Gate-Treiber-Leistung an High-Side Low-Side
- Totzeit-Optimierung einschließlich des exakten Einschalt-, Ausschalt- und Gate-Treiber-Timings
- VGS-, VDS- und ID-Messungen an High-Side- und Low-Side-Schaltern
- Analyse der Schalt- und Leitungsverluste sowie des magnetischen Verlusts
POWERSOL1
Optimieren der Totzeit und Verhindern von Überschwingen
Charakterisierung von GaN-basierten Halbbrückenschaltkreisen
Hochfrequenz-Floating Gate- (VGS-), Drainstrom- (VDS-) und Stromstärke- (ID-) Signale sind aufgrund parasitärer Kapazitäten und Induktion mit herkömmlichen Differenztastköpfen oder potentialfreien Oszilloskopen praktisch nicht realisierbar.
Das Analyse-Kit für SiC MOSFET- und GaN FET-Schaltleistungswandler umfasst optisch isolierte IsoVuTM-Differenztastköpfe, die zahlreiche patentierte Technologien verwenden, um die Gleichtaktauswirkungen von Differenzsignalen zu unterbinden. Selbst bei ultraschnellen Schaltfrequenzen verhindert das laserbasierte IsoVu Datenübertragungssystem jegliche elektrische Verbindung und bietet Ihnen dadurch eine unübertroffene Gleichtaktunterdrückung.
- Optimieren der Totzeit dank gleichzeitiger High-Side- und Low-Side-VGS- und VDS-Messungen
- Akkurate Charakterisierung der Gate-Ladung unter realen Ladungsbedingungen und Optimieren der Gate-Treiber-Leistung
- Differentialspannungsbereich von 1 mV bis 2500 V
- Bandbreite bis zu 1 GHz für ultraschnelles Schalten
- Gleichtaktspannung von bis zu 60 kV
- Niedrige Eingangskapazitätsspitzen (<1 pF)
- Genaue Prüfung der Drainstromstärke (ID) an allen potentialfreien Stromshunts mit hoher Gleichtaktunterdrückung
Automatisierte Verlustmessungen unter realen Betriebsbedingungen
Der Schaltverlust führt zu einer Verlustleistung in einem FET. Signalkurven sind mit farblich gekennzeichneten Markern versehen. Diese zeigen die Messbereiche für die Zyklen Ton, Toff und Totally an, was den Werten in der Ergebnisleiste entspricht. Durch die Bedienelemente in der Ergebnisleiste können Sie einfach zwischen den Zyklen hin- und herwechseln.
Messungen der Stromqualität, der Effizienz und des Verlusts zur Optimierung und Prüfung eines SiC- oder GaN-Stromversorgungsdesigns können manuell durchgeführt werden. Viele Ingenieure verwenden jedoch Tools zur Automatisierung bei Ihren Oszilloskopen, um schnellere und wiederholbare Ergebnisse zu erzielen. Diese Lösung umfasst das Software-Paket 5-PWR Advanced Power Measurement and Analysis, mit dem Messungen der Stromqualität, der Effizienz und des Verlusts an Schaltelementen, schaltungsinternen Spulen und Transformatoren und am DC-Ausgang sowie Wechselstrommessungen automatisiert werden können.
Durch die Messung und Optimierung jedes einzelnen Sub-Systems unter realen Bedingungen erreichen Sie die höchst mögliche Effizienz Ihres Stomversorgungsdesigns.
Dies umfasst die folgenden wichtigen Messungen:
- Schaltelementmessungen wie Schaltverlustanalyse und sicherer Betriebsbereich an GaN-, SiC- oder Silizium-FETs
- Messungen schaltungsinterner Spulen und Transformatoren einschließlich Induktivitäts-B-H-Kurve und Analyse des magnetischen Verlusts
- Messungen des DC-Outputs wie Effizienz, Welligkeit und Ein-/Ausschalten
- Wechselstrommessungen: AC-Leistungsanalyse einschließlich Oberwellen
Was ist im PowerSol1-System enthalten?
- MSO-Oszilloskop der Serie 5 – Hohe Auflösung (12 Bit) zum Prüfen von Vgs, RDS_ON und Leitungsverlusten unter realen Bedingungen
- 5-PWR-Software – Automatisierte, exakte und wiederholbare Leistungsmessungen zur Berechnung von Schaltungsverlusten, Leitungsverlusten, RDS_ON, magnetischen Verlusten, dem sicheren Arbeitsbereich (SOA) und vielem mehr unter realen Betriebsbedingungen.
- GaN Half-bridge Demo Board Guide – Handbuch Erste Schritte.
- TIVH08 IsoVu – Isolierter Differentialspannungstastkopf – 2,5 kV Differential-Nennspannung zum Prüfen von VDS-Signalen an Hochspannungs-SiC- und GaN-Leistungswandlern. Darüber hinaus 800 MHz Bandbreite für extrem schnellen Gleichtakt dv/dt zur SiC- und GaN-Leistungselektronik
- TIVH05 IsoVu – Isolierter Differentialspannungstastkopf (optional) – 2,5 kV Differential-Nennspannung zum Prüfen von VDS-Signalen an Hochspannungs-SiC- und GaN-Leistungswandlern. Darüber hinaus 500 MHz Bandbreite für extrem schnellen Gleichtakt dv/dt zur SiC- und GaN-Leistungselektronik
- TIVM1 IsoVu – Isolierte Differentialtastköpfe (optional) – 1 GHz Bandbreite für extrem schnelles dv/dt bei Niederspannungssignalen (<50 V) wie VGS und Shuntspannung
- TPP1000 –Passive Tastköpfe mit hoher Bandbreite (Standard-Zubehör) – als Standard-Ausrüstung im Lieferumfang des Oszilloskops enthalten; ein Tastkopf pro Kanal. 1 GHz Bandbreite zum Prüfen von massebezogenen hohen dv/dt-Signalen wie VGS_LOW und Shuntspannung
- Abgeschirmte MMCX-Spitze für passive Tastköpfe mit hoher Bandbreite (optional) –führt zu exakteren massebezogenen Hochfrequenz-Messungen, da Erdschleifen verhindert werden Schauen Sie sich hier (206-0663-xx) das Video über das Erstellen von ungeplanten Testpunkten mit den MMCX-Anschlüssen an.